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| sonix 8-Bit MCU FAQ |
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| COB 生产环节 |
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Q1. 已烧录的裸片（dice）在生产过程中，应注意那些问题？
Q2. 若在COB邦定过程中出现pad peeling情况，应该如何处理？
Q3. 在COB生产过程中，有那些环节应注意ESD问题？
Q4. 使用COB板做烧录时, 应注意那些事项？
Q5. 对于邦定后第一次烧录不良的COB板，可做那些处理？
Q6. 是否可将已封黑胶的COB板，送进IR（回焊炉）加热生产？
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| PKG烧录环节 |
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Q1. 目前松翰有那几款烧录器支持8-Bit MCU的烧录？
Q2. PKG烧录不良率偏高，应注意那些问题？
Q3. 在烧录需做IHRC校正的芯片（例如：SN8P2501B、SN8P2711），应注意那些问题？
Q4. 使用MP writer 下载SN8檔时，为什么提示“EEPROM has some problems !!”？
Q5. 是否可以使用第三方烧录器烧录SONIX MCU？
Q6. 用writer烧录带IHRC的芯片时，烧出来的芯片为何没有内振功能？
Q7. 在烧录器的48Pin插座上，将此48根线并联引出扩展成另一个插座，可否同时烧录两颗芯片？
Q8. 在COB生产中，烧录环节应该注意什么？
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| 上线生产环节 |
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Q1. 生产在线应采用那些有效措施，以防止ESD对芯片的损伤？
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| 产品设计应用环节 |
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Q1. 松翰芯片最低工作电压是多少？其最低工作电压主要受什么因素影响？
Q2. 在睡眠模式下，芯片输入口应如何设置以获得最低电流？
Q3. 在电路设计及PCB layout中，可采用那些措施以加强芯片抗ESD能力？
Q4. AD应用时，外部电路设计及PCB layout有何注意事项？
Q5. 在AD应用时，软件有那些注意事项？
Q6. 使用仿真器仿真ADC功能时，当选择EXT_VERFH时，为何VERFH端口的电压一直为5V？
Q7. 外挂16M晶振，SN8P2714的PWM输出脉冲的频率最高为多少（保持8-bit精度）？与其它芯片有何不同？
Q8. 仿真ADC时，仿真器方面应注意哪些事项？
Q9. 使用SONIX MCU的ADC功能时，在软件和硬件设计上应注意哪些事项？
Q10. 为什么程序中清FP00IEN后，本来应该禁止外部中断INT0，但在程序运行时发现也可进入？
Q11. 怎样选择Code Option各选项？
Q12. 如何正确使用Watchdog？
Q13. 仿真器在使用时应注意哪些事项？
Q14. SONIX MCU电气特性里的ViL/ViH的具体含义？
Q15. 在产品开发过程中如何提高EFT特性？
Q16. 在VDD=5V的供电情况下，如何选取RC的参数才能得到4MHz的振荡频率？
Q17. 在一个计数器在用作PWM输出的时候，该计数器能否同时用作中断源？
Q18. SN8P2714为何不能使用32768的晶振？
Q19. DAC口是否可以应用为普通I/O口？
Q20. 当SONIX MCU的I/O口作OPEN DRAIN输出时，外接上拉电阻的供电电压比IC电源电压高，是否允许？
Q21. 低功耗I/O口应如何设置？
Q22. 使用EEPROM时有何注意事项？
Q23. SONIX MCU的I/O上拉电阻是多少？
Q24. 家电类AC应用电路中，可通过什么措施对芯片电源做保护？
Q25. 在有湿度要求的应用系统中，可通过什么方法提供系统工作的可靠度？
Q26. SONIX哪些编译环境支持软件仿真（不连接仿真器）？
Q27. 在芯片进入睡眠模式之前，应如何设置ADC口？
Q28. EQU与DS指令有何区别？
Q29. 在程序中应如何设置才能增加MCU进出GREEN MODE的稳定性？
Q30. MOV和B0MOV的有何区别？
Q31. 仿真SN8P2722时，仿真器上的P0.4脚为何没有BUZZER输出？
Q32. SONIX MCU规格中提到的“1T”是什么含义？
Q33. 芯片从低速模式进入睡眠模式，将芯片唤醒后，系统将工作于哪种模式？
Q34. 在外部RC振荡模式下，引脚Xout将处于何种状态？
Q35. 累加器ACC为0时，零标志位FZ是否一定自动置为“1”？
Q36. 在产品开发过程中如何提高EFT特性？
Q37. 在使用SN8P2308的RFC功能时，为何读取T1C的值出错？
Q38. 芯片为何无法进入Sleep Mode？
Q39. 系统板采用RC振荡器，如何解决仿真和实际芯片工作的频率误差问题？
Q40. 应用RC振荡时频率应注意哪些问题？
Q41. 为什么芯片无法进入中断？
Q42. P00设置完全正确，为何无法进入中断？
Q43. 独立按键与MCU如何连接能有效避免I/O口损伤？
Q44. I/O外接下拉电阻，没有外接信号时芯片为何读不到低电平？
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| SN8P1900系列芯片常见问题与解答 |
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※ Charge Pump相关问题
Q1. Charge Pump何时启动何时关闭,在芯片上如何量测?
Q2. AVDDCP电容与C+/C-电容作用为何,是否可省略?
Q3. CPCKS的作用为何?建议数值为何?
Q4. AVDDR, AVE+, ACM启动的先后顺序为何, ,启动后是否需要稳定时间?
Q5. AVDDR, AVE+, ACM的误差值为多少?
Q6. SN8P1917/SN8P1919的模拟电容容值大小为何?
Q7. CR2032电池的应用中如何避免VDD跌落?
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| ^SN8P1900 ^TOP |
※ PGIA相关问题
Q1. 如何量测PGIA真正的放大结果?
Q2. 变更不同PGIA通道是否需要先关闭PGIA或ADC
Q3. AI+, AI-, AO+, AO-, X+, X-可输入的电压范围为何?
Q4. Single-end (单端) 与Differential (差动) 输入有何不同?
Q5. 当PGIA倍率=1时,是否需要启动PGIA?
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| ^SN8P1900 ^TOP |
※ 16-bit ADC相关问题
Q1. 1907与1917, 1909与1919之间有何不同?
Q2. R+/R-与X+/X-两者电压值有何相关?
Q3. 如何产生稳定的电压提供给R+, R-?
Q4. 变更不同参考电压是否需要先关闭PGIA或ADC?
Q5. 如何判断ADC的结果是否已经稳定,并减少ADC跳动?
Q6. ADC稳定时需要多长?
Q7. PGIA/ADC温度飘移特性为何?
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| ^SN8P1900 ^TOP |
※ 其它问题
Q1. 使用1900系列母体需要哪些硬件与软件支持?
Q2. 笔记本上无Printer Port是否有USB接口工具?
Q3. LCD驱动能力如何调整?
Q4. 使用LCD时,有何注意事项?
Q5. 使用EEPROM时有何注意事项?
Q6. 软件设计有何注意事项?
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| ^SN8P1900 ^TOP |
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| COB 生产环节 |
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Q1. 已烧录的裸片（dice）在生产过程中，应注意那些问题？
Ans:
1. 芯片避免长时间暴露在强光环境下，并注意生产在线无强光等UV环境，以免造成ROM data lose或不可靠状态。
2. 邦定生产建议客户采用ASM AB520机台。
3. 客户根据不同母体采用合适线径的铝线。（一般可采用1.0 mil，但根据不同芯片pad大小而做不同的调整）
4. 邦定机台采用适当的邦定参数，如邦定力度18～26，邦定时间20～28，邦定功率80～90。（不同的邦定机台其参数需要微调，此点可由客户做掌控）
Q2. 若在COB邦定过程中出现pad peeling情况，应该如何处理？
Ans:
1. 请确认COB板在邦定机台上，无浮动和翘曲现象。
2. 可采用张力较小的铝线，避免使用太硬的铝线。（在铝线的纸盒上有标注TS值，其代表意义即张力的大小，一般情况下1.0 mil的铝线张力为17～19；此时可尝试选择张力小一点的铝线，例如：铝线张力为12～15）
3. 可采用线径较小的铝线，避免使用太粗的铝线。（例如：选择线径为1.0 mil的铝线）
4. 可增加第一点打线后的延迟时间。
5. 可调整邦定参数：提高邦定力度（bonding power），缩短延迟时间（bonding time）。
Q3. 在COB生产过程中，有那些环节应注意ESD问题？
Ans:
1. 邦定机台必须保证接大地良好。（地线必须单独拉线到大地，不能用市电电源的地线）
2. 邦定操作员必须佩戴有线静电环，并保证接地良好。
3. 邦定操作员、烧录操作员等一线作业员必须穿防静电工作服，佩戴有线静电环。
4. COB板做烧录和测试所在的工作台，必须接地良好。
5. 在天气特别干燥的情况下，建议对烧录和测试环境做增加湿度的处理。
6. 邦定作业环境及COB板必须保持清洁（无灰尘、无脏污），以避免因清洁问题而影响邦定良率。
Q4. 使用COB板做烧录时, 应注意那些事项？
Ans:
1. 邦定后的COB板建议先以显微镜观察，确认无脱线、掉线等明显邦定不良问题。
2. 芯片在烧录过程中，要求烧录接脚必须无其他组件。（例如：VPP、CLK等烧录接脚，必须在烧录的时候空接）
3. 烧录转接支架需保证顶针与COB板之间的定位准确、可靠接触。
(1). 烧录支架的定位，建议采用三孔顶针的方式。
(2). 烧录转接线要固定好，不可将烧录转接线设计为活动配件。
(3). 在接触部分，烧录转接支架主要需考虑顶针的类型和定时清洁更换。
(4). 建议实心接点采用单点尖顶针或多点尖顶针，过孔接点采用大头顶针。
Q5. 对于邦定后第一次烧录不良的COB板，可做那些处理？
Ans:
1. 请检查确认邦定良好。（一般工厂的放大镜倍数不够大，建议可用邦定机台的放大镜做观察）
2. 以紫外线将烧录不良品的ROM数据做清除，待数据清除后再做二次烧录，二次烧录需特别注意以下问题：
(1). 紫外线功率需足够，照光时间要充足。（根据ROM大小不同，所需照光时间也不同，例如：SN8P2711 1K ROM需费时约0.5～1小时，SN8P1909 8K ROM需费时约1～2小时）
(2). 当确定ROM资料完全清空后，才能用烧录器重新烧录，此时建议客户使用MP-Writer的FUN0做烧录。（FUN0为Blank Check + Program + Verify三个功能的组合，若 烧录器提示ERR1，则可能是ROM数据未清除干净，必须再延迟紫外线照射的时间）
(3). 二次烧录过程中，请特别注意烧录支架与COB板之间的定位是否准确；此阶段的烧录不良品，很有可能是COB板与烧录支架定位不准、接触不良所引起。
Q6. 是否可将已封黑胶的COB板，送进IR（回焊炉）加热生产？
Ans:
1. 不可以。因为COB板在芯片邦定完成后，会点上黑胶做保护。此后不可再进入高温生产流程，以避免因高温热胀冷缩造成芯片pad邦线脱落的情况发生。
2. 目前一般COB生产流程为：SMT组件生产 → 经过IR加热 → 芯片邦定 → COB板功能测试 → 点胶及烘干 → 插件组件生产。
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| PKG烧录环节 |
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Q1. 目前松翰有那几款烧录器支持8-Bit MCU的烧录？
Ans:
目前松翰有以下两款烧录器可支持烧录：
1. MP-Writer：
(1)量产版烧录器，可脱机烧录系列芯片，支持产线大量烧录 。
(2)可以烧录Rolling code。
(3)支持SN8P1602A/B、170X、1808、190X系列IC。
2. MP-III Writer：
(1)量产型烧录器，内建flash主控芯片，可透过USB自动进行韧体更新。
(2)支持联机/脱机烧录。
(3)可以烧录Rolling code。
Q2. PKG烧录不良率偏高，应注意那些问题？
Ans:
1. 检查确认烧录器为松翰认可的烧录器，目前松翰认可的烧录器有：EZ-Writer、MP-Writer、Gang-Writer、MP-III Writer、河洛 烧录器（ALL-100）。
2. 检查确认socket工作良好。（建议socket可定时清洁、定量更换；若有烧录不良率偏高的情况，可优先更换新的socket）
3. 检查确认烧录器韧体为最新版本，此点可与代理商或松翰FAE联系确认。
4. 检查烧录器和芯片之间的转接是否可靠，建议采用松翰提供的烧录转接板。
5. 烧录人员必须佩戴有线静电环，烧录工作台必须做好接地及静电防护。
Q3. 在烧录需做IHRC校正的芯片（例如：SN8P2501B、SN8P2711），应注意那些问题？
Ans:
1. 请使用最新版本编译程序做编译。( 请到松翰网站的工具网页下载最新版本编译程序 )
2. 请确认烧录器使用最新版本韧体做烧录：
(1). MP-Writer：烧录二系列芯片，请到松翰网站的工具网页下载最新版本韧体。
(2). MP-III Writer：烧录二系列芯片及SN8P1917、SN8P1919，请到松翰网站的工具网页下载最新版本编译程序。
(3). 河洛ALL-100：依据所烧录的芯片型号不同，有不同的韧体版本，建议可直接到河洛公司网站，下载最新版本韧体做烧录。
Q4. 使用MP writer 下载SN8档时，为什么提示“EEPROM has some problems !!”？
Ans:
首先请检查EEPROM是否完好，与IC座之间是否松动。排除硬件损坏的情况，用户可以从以下两点进行排查：
1. 先将并口线（或UTP）从MP writer上拔掉，然后将MP writer复位，待复位完成之后，再将并口线（或UTP）连接，重新下载SN8檔。
2. 确认现在使用的编译软件是否为最新版本，如果不是，请使用最新版本的编译软件下载SN8文件，但要注意的是，如果SN8档是由旧版本的编译软件生成的话，那么务必将源程序在新版编译软件下重新编译，生成新的SN8档再进行下载，否则在烧录过程可能出现不良率偏高或不能烧录。
3. 如果上面两点仍然不能排除问题，请及时跟代理商或厂家联系，确认是否为硬件损坏。
Q5. 是否可以使用第三方烧录器烧录SONIX MCU？
Ans:
目前市面上已经有一些第三方烧录器支持sonix MCU的烧录，比如台湾的河洛烧录器。但是客户如果想使用这些第三方烧录器的话，请先与代理商或sonix原厂取得联系，以验证可行性，避免出现大批量的烧录不良。
Q6. 用writer烧录带IHRC的芯片时，烧出来的芯片为何没有内振功能?
Ans:
首先检查源程序的Code Option里的High_Clk选项是否选择为IHRC_16M，如果已选为此项，则可能是烧录器软件或硬件出现了问题，请客户及时与代理商或sonix原厂取得联系。
Q7. 在烧录器的48Pin插座上，将此48根线并联引出扩展成另一个插座，可否同时烧录两颗芯片？
Ans:
这样做是不允许的。因为受到用户的电网环境、编程器的烧录功率、烧录信号的同步、用户的电网环境等因素制约，这样扩展将会导致烧录错误。另外若是有rolling code程序烧录的话，计数也将会发生错误。
Q8. 在COB生产中，烧录环节应该注意什么？
Ans:
首先，保证测试架上的顶针与COB上的烧录触点接触良好。
其次，从IC烧录引脚到烧录器之间的排线长度越短越好，因为过长的排线更容易受干扰，且其不均匀的阻抗也容易造成烧录异常。
另外，在COB板Layout，顶针连接等环节中，必须保证烧录引脚被完整地连接到烧录器。比如在SN8P1917中，芯片的第10、23、28脚均为VDD，则在烧录时必须将这三个引脚全部连接到烧录器的VDD信号在线；而在SN8P2613中，则需将芯片的第9、19脚同时连接在烧录器的ALSB/PDB信号在线，关于这部分内容，请详细查看相关母体datasheet中的“Programming Pin Mapping”章节。
最后，还要注意烧录及测试的操作规范。比如操作人员必须佩带有线静电环，必须在COB板上的触点与测试架顶针完全稳定接触后再开始烧录等等，另外值得提出的是，有些工厂是采用测试架对烧录完成后的COB板进行功能测试，并且COB板的电源是由测试架提供，在这种情况下，就要求测试人员必须遵守以下操作顺序：先将测试架断电，然后将待测COB板放入测试架，保证所有触点与顶针已完全稳定接触后，再将测试架上电，测试相关功能，最后将测试架断电后拿出COB板。这样做的目的就是要避免I/O上有电压而VDD无电压的情况出现，如果不按上述顺序操作，则很可能造成IC的I/O损坏。
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| 上线生产环节 |
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Q1. 生产在线应采用那些有效措施，以防止ESD对芯片的损伤？
Ans:
1. 生产在线的生产设备都必须与大地连接。（例如：传动带、回焊炉、锡炉、烙铁等）
2. 生产线员工都必须佩戴有线静电环，穿防静电工作服。（一般工厂会在每天作业前，检查员工佩戴静电环的情况，并检查静电环是否接地良好等）
3. 生产在线应采用防静电材料，并移除泡沫塑料等容易累积电荷之材料，以避免因材料问题而造成局部ESD 环境不良，进而造成芯片ESD损伤。
4. 在天气特别干燥的情况下，建议可对局部关键环节（例如：芯片插件区、PCB功能测试区等）采用增加湿度的方法，以降低ESD问题的影响。
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| 产品设计应用环节 |
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Q1. 松翰芯片最低工作电压是多少？其最低工作电压主要受什么因素影响？
Ans:
1. 松翰8-Bit MCU种类繁多，且针对不同的母体，其对应的最低工作电压亦有所差异。详请参考sonix 8-Bit MCU Data Sheet（Electrical Characteristic章节）。
2. 芯片最低工作电压主要受到工作频率影响。当工作频率越高，其对应之最低工作电压也越高；反之则降低。
Q2. 在睡眠模式下，芯片输入口应如何设置以获得最低电流？
Ans:
1. 睡眠模式下，输入口应设置为上拉状态（input pull-up）；不能设为浮动状态（input floating）。
2. 建议客户可透过以下两种方法实现：
(1). 松翰系列芯片大部份I/O都有内建可编程上拉电阻（programmable pull-up resistor），客户可透过程序设置内部上拉电阻使能（input pull-up resistor enable）。
例如：使能P1口上拉（enable P1 pull-up resistor）
| mov A, #0FFh |
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| mov P1UR, A |
;P1上拉电阻缓存器P1UR设置为1，使能上拉 |
(2). 对内部无上拉功能的输入口（例如：与RST共享的输入口），建议透过一外部电阻（20K奥姆）上拉到VDD。
Q3. 在电路设计及PCB layout中，可采用那些措施以加强芯片抗ESD能力？
Ans:
1. 在电路设计中，针对数字输入输出口及接头连接线的芯片接脚，建议可串接一适当大小的电阻（22～100奥姆）以达到保护I/O口的效果。（请参考下图）
2. 在PCB layout中，应尽量避免I/O口直接在PCB板边走线。有串电阻的I/O口，应尽量将电阻靠近芯片接脚，以达到最佳的保护效果。（请参考下图）
Q4. AD应用时，外部电路设计及PCB layout有何注意事项？
Ans:
1. 在AD信号输入端的电路设计，建议先串接一适当大小的电阻（20～200奥姆），然后才到AD输入口，同时也在AD输入口并联一bypass（0.1uF以上）。（请参考下图）
2. 在PCB layout上，电阻和电容则愈靠近IC接脚愈好，以达到最佳的防护。（请参考下图）
Q5. 在AD应用时，软件有那些注意事项？
Ans:
1. AD enable后，必须delay 200us以上，让AD电路稳定后才可开始取样。
2. AD channel切换后，必须delay 200us以上，让AD信号稳定后才可开始取样。
3. AD取样获得的数据，建议先做滤波处理后，再以其他方式做数据处理。
4. 建议客户在做程序初始化时，enable ADC，并定时启动ADC转换功能。（范例如下）
例如：每隔1ms启动一次ADC转换功能
Sys_Int
| : |
;在程序初始化过程，开启ADC转换功能 |
| : |
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| mov A, #00h |
;设置AD工作模式 |
| : |
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| b0bset FADENB |
;开启AD转换功能 |
Sys_Init90
ADC_Convert
| b0bts1 f_time_1ms |
;判断是否到达1ms |
| jmp ADC_Convert90 |
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| b0bclr f_time_1ms |
;1ms时间到，启动ADC转换功能 |
| b0bset FADS |
|
ADC_Convert10
| b0bts1 FEOC |
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| jmp ADC_Convert10 |
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| b0bclr FEOC |
|
| mov A, ADB |
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| mov ADC_buf1, A |
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| mov A, ADM |
|
| mov ADC_buf2, A |
;保存ADC转换后的数据 |
| b0bclr FCHS2 |
|
| b0bclr FCHS1 |
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| b0bclr FCHS0 |
;切换ADC通道，准备下一次ADC转换 |
| : |
|
ADC_Convert90
Q6. 使用仿真器仿真ADC功能时，当选择EXT_VERFH时，为何VERFH端口的电压一直为5V？
Ans:
在仿真器电源开关旁边有四组跳针，其中有一组跳针为AVREFH/VDD，AVREFH为仿真芯片ADC线路的参考高电压。短路此跳针是将AVREFH与VDD连接，开路此跳针则是外接参考电压，可通过I/O Connector的AVREFH连接到目标线路板。
其他三组跳针的使用请参考《SN8ICE 2K 仿真器快速指引手册》。
Q7. 外挂16M晶振，SN8P2714的PWM输出脉冲的频率最高为多少（保持8-bit精度）？与其他芯片有何不同？
Ans:
在外挂16M晶振，Fcpu=Fosc/4的条件下，2714最高可以输出频率为62.5KHz的PWM输出脉冲（保持8-bit精度）。与其他芯片不同的是，2714的两个timer counter TC0、TC1有一个TC0X8或TC1X8控制位。当这两个控制位为0时，TC0或TC1的时钟来自Fcpu； 当这两个控制位为0时，TC0或TC1的时钟来自Fosc，而其他芯片的timer counter时钟都是来自Fcpu。上述PWM输出频率就是在TC0X8或TC1X8控制位开启的情况下得到的。
具体细节请参考SN8P2714 datasheet。
Q8. 仿真ADC时，仿真器方面应注意哪些事项？
Ans:
由于模拟信号容易受到外部线路的影响，因此硬件设计时要保证模拟信号的稳定性，此外模拟信号输入到A/D输入端的线路要尽量短。仿真器方面，针对基准电压源作了特殊处理（保证其稳定性），因此仿真时，AVFREH与AVREFL处的跳针要短路。
Q9. 使用SONIX MCU的ADC功能时，在软件和硬件设计上应注意哪些事项？
Ans:
1. 软件方面应该注意的：
A/D信道转换需要一定的稳定时间，在软件设计时需要作考虑。为了保证每次AD转换的稳定与正确，最好在每次AD转换前都重新确定AD转换信道、AD转换分辨率、AD时钟源选择位，而且根据所应用场合对所取得资料进行合理的处理。 在第一次使能AD时(B0BSET FADENB)，要有一个100us的delay，以保证内部AD电路达到稳定状态，
2.硬件方面应该注意的：
信号源要尽量与A/D转换输入端接近，而且要视芯片输入阻抗添加合适的电容并入信号源输入端。此外需保证AD转换基准电压的稳定，模拟地与数字地要分开或隔离。
Q10. 为什么程序中清FP00IEN后，本来应该禁止外部中断INT0，但在程序运行时发现也可进入？
Ans:
sonix的8位MCU中断机制是一旦在P0.0口接受到中断条件，总会设置相应的中断标志位FP00IRQ，但能不能进入中断还要看FP00IEN是否允许（这样做是为了客户采用查询方式的需要）。但是一旦中断标志位FP00IRQ被外部中断条件设定后，又有其他中断产生，此时若中断程序处理不当，则可能造成错误进入INT0中断。解决办法：
1.若中断程序中不需要INT0中断，则中断程序中不要查FP00IRQ标志。
2.若中断程序中需要INT0中断，应该配合FP00IEN一起使用，如下：
| B0BTS1 FP00IEN |
；P00中断是否打开 |
| JMP EXIT |
；没有P00中断，退出 |
| B0BTS1 P00IRQ |
；进一步查询中断请求标志 |
| JMP NEXT |
|
| : |
|
| NEXT： |
；P00中断服务程序 |
| : |
|
| EXIT： |
；退出中断服务程序 |
| RETI |
|
Q11. 怎样选择Code Option各选项？
Ans:
不同的chip宣告和不同版本的编译软件，Code Operation有不同的选项可供选择。其选项含义如下：
◆ Watchdog：
Always on―看门狗定时器一直开启；
Enable―看门狗定时器在normal和slow模式下开启，在green和sleep模式下停止；
Disable―看门狗定时器关闭。
※ 注：当选择Always on选项时，系统将无法进入sleep模式。
◆ Reset_Pin：
Pxx―选择内部复位，同时该引脚将作为单向输入口Pxx使用；
Reset―选择外部复位；
※ 注：当选择内部复位时，Pxx口为单向输入口，且无内部上拉电阻。
◆ High_Clk：
IHRC_16M―芯片工作振荡源采用内部16M高速RC振荡电路；
Ext_RC―芯片工作振荡源采用外部RC振荡电路；
32K_X’tal―芯片工作振荡源采用外部低频率晶振（例如32.768KHz）；
4M_X’tal―芯片工作振荡源采用外部标准石英或陶瓷振荡器（一般在2M ～ 10MHz）；
12M_X’tal―芯片工作振荡源采用外部高速石英或陶瓷振荡器（一般在10MHz ～ 16MHz）。
※ 注：IHRC_16M选项只有在内部集成了高速RC振荡电路的IC型号中才会出现，当选择此项时，XIN/XOUT两个引脚将作为一般I/O使用。
◆ Fcpu：
Fosc/1―指令周期 = 1个时钟周期；
Fosc/2―指令周期 = 2个时钟周期；
Fosc/4―指令周期 = 4个时钟周期；
Fosc/8―指令周期 = 8个时钟周期；
Fosc/16―指令周期 = 16个时钟周期；
※ 注：当在Code Option中选择Noise_Filter Enable或IHRC_16M时，Fcpu选项里的Fosc/1和Fosc/2两项将被自动屏蔽。
◆ Security：
enable―程序代码加密；
disable―程序代码不加密。
◆ Noise_Filter：
enable―打开噪声滤波功能。
disable―关闭噪声滤波功能。
※ 注：当开启噪声滤波功能后，会提高芯片的抗干扰能力，同时Fcpu选项里的Fosc/1和Fosc/2两项将被自动屏蔽。
◆ LVD：
LVD_L―VDD低于2.0V时，LVD复位系统。
LVD_M―VDD低于2.0V时，LVD复位系统，LVD的24-bit PFLAG寄存器作为2.4V低电压监测器。
LVD_H―VDD低于2.4V时，LVD复位系统，LVD的36-bit PFLAG寄存器作为3.6V低电压监测器。
Q12. 如何正确使用Watchdog？
Ans:
看门狗定时器开启可防止程序进入未知的死区，并可提高抗干扰性能。
Q13. 仿真器在使用时应注意哪些事项？
Ans:
sonix仿真器由EV板和ICE板组成，用户在使用过程中要注意以下事项：
1.检查电源的使用是否正确，并注意电源的极性。仿真器ICE板使用＋7.5V直流电源，过高的电源电压或错误的极性都可能对仿真器造成永久性损坏。选择直流电源时要谨慎，比较差的电源在瞬间开关时的电压异变有可能损坏仿真器。
2.注意EV板的供电电压。EV板供电方式有两种：选择由ICE板供电（5V）或由目标板直接供电。就两种供电方式说明如下：
选择由ICE板供电，要将INTERNAL 5V的跳针短路；
选择由目标板直接供电，请务必拔去ICE板上INTERNAL 5V处的跳针。如若忘记拔去，目标板供电和ICE板供电有可能会引起冲突，引起电流倒灌导致EV板和ICE板的损坏。
3.EV板不管选择哪种方式供电，都要确保进入EV板中的电源电压和I/O口灌入电压值没有超过规范的极限电压。
4.目标板采用市电方式供电时，建议引用隔离变压器，防止在调试、测试过程中不当的操作引起仿真器和测量仪器的损伤。
5.正常使用过程中，注意将仿真器安置在一个清洁的工作环境中，不要和散置导线或元器件接触导致短路。仿真器使用完毕，注意拔掉PC并口线和关断电源，防止非工作时间内电源的异常损坏仿真器。
6.仿真器EV板上印有有关拨码开关、跳针、LED及接插件等说明文字，使用前要了解每一部分的功能和使用方法。关于此部分请阅读仿真器使用说明书。
7.当外接目标板时，要养成事前测试目标板连接是否正确的习惯，以免插接供电后造成仿真器的损伤。一般要必须确保目标板没有短路，I/O口灌入电压没有超过规范极限值等。
8. 平时要保持仿真器的清洁，长期不使用时要用防静电袋包裹妥善安置。
其他使用细节请参考仿真器使用手册。
Q14. SONIX MCU电气特性里的ViL/ViH的具体含义？
Ans:
◆ ViL——在一个input mode的I/O口上，输入电压从0向VDD变化，当MCU读到的值从0变化的1时，此时对应的输入电压即为ViL，即输入低电平。
◆ ViH——在一个input mode的I/O口上，输入电压从VDD向0变化，当MCU读到的值从1变化的0时，此时对应的输入电压即为ViH，即输入高电平。
※ 注：当输入电压介于ViL和ViH之间时，例如ViL/ViH为0.3VDD/0.7VDD，当输入电压为0.5VDD时，MCU读到的电平将是不确定的，用户应注意避免这种情况。
Q15. 在产品开发过程中如何提高EFT特性？
Ans:
要保证芯片的正常运行，除了自身有一定的抗干扰能力外，硬件保护也是很重要的。一般情况下从以下几个方面加以保护：
1.电源端：保证电源的稳定性，强电情况下蓄能电路、异常电压保护电路要根据情况加以考虑。芯片Vdd与Vss端一定也是必须要并入一小容量电容（建议为0.1uF）,而且位置要正确，一定是电源先经过电容再到达芯片电源端；
2.复位端：按照建议的复位电路设计
Q16. 在VDD=5V的供电情况下，如何选取RC的参数才能得到4MHz的振荡频率？
Ans:
使用外部RC电路得到振荡源时建议如下：
◆ 建议选用33pf电容作为RC震荡电容，1~8MHz阻容搭配见下表(VDD=5V)：
|
frequency |
resistance |
capacitance |
|
8 MHz |
1800Ω |
33pf |
|
4 MHz |
3900Ω |
33pf |
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2 MHz |
8200Ω |
33pf |
|
1 MHz |
18000Ω |
33pf |
◆ 另有RC振荡时钟配置表如下：
◆ 建议在MCU进电源端加入47uf电容，能有效提高系统的抗干扰性能
※ 注：以上参数仅供参考，实际RC振荡源频率会因电阻、电容的参数和精度不同存在偏差，请实际测量的频率为准。
Q17. 在一个计数器在用作PWM输出的时候，该计数器能否同时用作中断源？
Ans:
当一个计数器在用作PWM输出的时候，该计数器是可以同时用作中断源的，不过此时中断溢出的时间是由PWM输出频率决定的，该计数器的计数范围也有PWM的计数决定。
Q18. SN8P2714为何不能使用32768的晶振？
Ans:
SN8P2714在VDD高于4.5V时，如果外部使用32768的晶振，芯片会出现高电压问题，因此在新版的编译软件下，2714 Code Option 里的High_Clk下拉选项里，已经看不到32K_X’tal选项。
Q19. DAC口是否可以应用为普通I/O口？
Ans:
DAC口是可以做普通I/O口的应用，但要注意，DAC口是电流型输出，具体应用请参考datasheet的详细说明。
Q20. 当SONIX MCU的I/O口作OPEN DRAIN输出时，外接上拉电阻的供电电压比IC电源电压高，是否允许？
Ans:
我们IC 的 open drain 是属于 pseudo open drain, 外接上拉电阻的电压 要小于等于 MCU 的 VDD, 主要目的是 应用在 多个 output 并接bus 上 (例如 I2C), 或者是电压 比 VDD低的 接口电压电平的转换。用户可以通过外接三极管来解决这个问题。
Q21. 低功耗I/O口应如何设置？
Ans:
正确设定I/O口状态，可以避免I/O口的漏电流：
1.对空闲口的设置，空闲口一般设定为输入上拉或输出低电平。
2.对ADC I/O通道，应用P4CON的设定，可以避免I/O口的漏电流。
3.对于不同的外部硬件电路，考虑I/O的状态设置，设定不当，会有漏电流，特别 注意上拉电阻的正确设定，若 I/O 在 output low level，又将pull-up enable会造成漏电，例如：VDD=5V 会有约 5V / 100K = 50uA 漏电。
Q22. 使用EEPROM时有何注意事项？
Ans:
1. EEPROM的控制脚位一定要有上拉电阻，建议阻值为1K。
2. 一定要确定EEPROM传回正确_ACK讯号，不可忽略，否则容易造成读写错误。
3. 针对重要的数据，例如校正数据，要进行Checksum保护，以及不同位置备份，以免EEPROM误动作后数据丢失。
Q23. SONIX MCU的I/O上拉电阻是多少？
Ans:
此点在芯片的规格书中（电气特性章节）有所描述。
Vdd＝3V时，上拉电阻典型值为200K奥姆。
Vdd＝5V时，上拉电阻典型值为100K奥姆。
Q24. 家电类AC应用电路中，可通过什么措施对芯片电源做保护？
Ans:
1.在家电类应用系统中，最常用的AC to DC降压电路为RC阻容降压然后通过稳压管稳压，或变压器降压再通过整流电路获得芯片所需的DC 5V电源。此两种电路，在AC上下电切换的时候，会因为瞬间通断电而造芯片VDD电源端会有一个幅值很高时间比较短的脉冲或脉冲群。采用分辨率比较高的示波器，可明显观察到脉冲的幅值可达到70V或更高，如下图所示：
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| 单脉冲波形 |
脉冲群波形 |
2. 应对此种脉冲冲击，建议在电路设计环节增加对芯� |
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